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Schweizer Forscher am PSI entwickeln wesentlich effizientere Transistoren aus verspanntem Silizium

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Martin Süess und Renato Minamisawa bereiten am Elektronenmikroskop eine Untersuchung vor. (Foto: Paul Scherrer Institut/F. Reiser)

Zieht man ein Stück Silizium auseinander, erzeugt man in dessen Inneren eine mechanische Spannung, die die elektronischen Eigenschaften des Materials deutlich verbessert. Mit verspanntem Silizium lassen sich also z. B. schnellere und leistungsfähigere Mikroprozessoren bauen. Forscher des Paul Scherrer Instituts und der ETH Zürich haben nun ein Verfahren entwickelt, mit dem sie in einer Siliziumschicht 30 Nanometer dünne, verspannte Drähte erzeugen können. Deren Spannung ist die höchste, die bislang in einem Material beobachtet worden ist, das als Grundlage für Elektronikbauteile dienen kann. Ziel ist es, auf Basis solcher Drähte leistungsfähige Transistoren für Mikroprozessoren herzustellen.

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